انتقال نانو ذرات در پلاسمای سیلان و تولید لایه های نازک سیلیکون آمورف

بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین

In this paper, preparation and characterization of a-SiNx thin films deposited by LPCVD method from free radicals of TCS and NH3 gaseous system were investigated. These radicals are made by passing each of the precursor gases separately over Pt-Ir/Al2O3 catalyst at the temperature of 600 ᐤC. Kinetics of this process was investigated at different total pressures, NH3/TCS flow rate ratios and te...

مطالعه رسانایی جریان مستقیم لایه های نازک p۳ht آلاییده با نانو ذرات zns و ag

در سال های أخیر مطالعه در مورد نانو کامپوزیت های p3ht: zns به دلیل قابلیت استفاده آنها به عنوان لایه ای فعال در سلول های خورشیدی ناهمگون حجمی با ولتاژ باز بالا گسترش یافته است. در این گونه سلول های خورشیدی انتقال بار کارایی آنها را مشخص می کند. بنابراین، بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی نانو کامپوزیت های p3ht:zns به منظور بهبود کارایی این گونه سلول های خورشیدی اهمیت به سزایی دارد. این مطالعه هم مکا...

حفظ خاصیت مغناطیسی نانو ذرات مغناطیسی بعد از پوشش سیلیکون

سابقه و هدف: نانوذرات مغناطیسی، بعد از پوشش ‌دهی، خاصیت اشباع مغناطیسی و در نتیجه قابلیت جذب آهنربایی در فرآیند جداسازی کاهش می‌یابد. در این مقاله پوشش ‌دهی نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن با ضخامت بسیار نازکی از پوشش سیلیکا بررسی شده است که علاوه بر پایدارشدن نانوذرات از خاصیت مغناطیسی آن ‌ها نیز کاسته نمی‌شود.. مواد و روش­ها: این فرآیند با استفاده از ماده شیمیایی تترا اتوکسی سیلان انجام می  شود. ...

تاثیر قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی‌الکتریک بر روی عملکرد یک میکروهیتر

با توسعه ریزفناوری میکروماشین­کاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کرده­اند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی­الکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...

رشد و مشخصه یابی ساختاری و مغناطیسی لایه های نازک آمورف و نانو بلوری co-p

الکتروانباشت یکی از روش های لایه نشانی است که امکان رشد لایه های آلیاژی، تک لایه و چند لایه ای را در شرایط طبیعی دما وفشار فراهم می کند. در این پروژه لایه های co-p و co به روش الکتروانباشت در دو مد chc و cha تحت پتانسیل ثابت در الکترولیت تک حمام بر روی زیرلایه های cu و ti انباشت شدند. به منظور تهیه ساختاری کریستالی برای لایه های مذکور از دو روش استفاده کردیم: 1) تغییر دادن محلول 2) حرارت دهی نم...

ویژگی های نانو ساختار نقره/اکسید سیلیکون